今天我们来分享的是2020年11月手机CPU天梯图最新版，近期也没有什么新的移动处理器出现，除了上个月的苹果A14 和 麒麟9000，本月刚刚又发布了一款三星Exynos 1080，目前这三款SOC代表着当下最顶级的移动芯片水准。下面我们就一起来看看2020年11月最新的手机处理器性能排行榜。

2020年11月手机CPU天梯图最新版 手机处理器性能排行榜

下面，我们直接先为大家带来2020年11月手机CPU天梯图。由于手机芯片发展速度很快，每年都会更新换代，对于大部分买新手机用户来说，一般只看最近一两代的芯片就足够了。

2020年11月手机CPU天梯图最新版

2020年各厂商本年主流芯片介绍：

苹果：iOS 阵营独家阵营，本年主打A14 芯片，由四款 iPhone 12 系列首发，均支持5G网络。前代产品，如 A13、A12 等，性能依然不俗，但不支持 5G 网络。

高通：安卓阵营No.1，芯片完美覆盖旗舰、高端、中端、低端全线市场。本年主打芯片包罗骁龙865/Plus、骁龙765/G、骁龙732G、骁龙730G、骁龙690 等，均支持 5G 网络;

联发科：安卓阵营芯片厂商，现在已经全面覆盖旗舰、高端、中端、大众市场。本年主打芯片包罗天玑1000+、天玑1000、天玑1000L、天玑820、天玑800、天玑800U、天玑720、天玑700等众多型号，均支持 5G 网络。

华为：国产芯片厂商，覆盖旗舰、高端、中端等市场，本年主打芯片包罗 麒麟9000、麒麟990 5G、麒麟985、麒麟980、麒麟820等芯片，均支持 5G 网络。华为是中国最知名的国产芯片厂商，但本年遭受美国科技大棒打压，不少芯片面临无法生产。

三星：安卓阵营芯片厂商，国内相对小众，应用的机型不多，除了最新的三星Exynos 1080之外，现在关注度并不高。

本期天梯图部分新CPU解析：

1、骁龙875

高通下一代旗舰芯，骁龙875又有进一步的消息。

骁龙875将是高通第一颗5nm旗舰处理器，头次采用ARM Cortex X1超大核，同时另有Cortex A78大核和Cortex A55能效核心，CPU主频最高达到了2.84Hz，性能强悍，理论上会比华为麒麟9000芯片更强一些。

据悉，骁龙875国内或为小米11首发，海外则可能由三星下一代Galaxy旗舰机首发，预计明年初公布。

2、【【微信】】

11月12日下午，三星在国内公布了下一代Exynos 1080旗舰处理器，基于5nm工艺制程，采用1+3+4三丛集架构。八核CPU联合了一个最高性能的Cortex-A78内核(最高频率为2.8GHz)、三个高性能的Cortex-A78内核和四个高效的Cortex-A55内核，内置的CPU为Mali-G78 10核。

网络方面，【【微信】】集成了三星最新的5G NSA/SA双模调制解调器，除了支持5G NR Sub-6和毫米波(mmWave)之外，还支持2G(GSM/CDMA 1x)、 3G(WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000)、4G(TD-LTE/LTE FDD)，以实现更大水平的全球网络覆盖。

其它方面，Exynos 1080对图像处理能力独家定制ISP架构，将NPU强介入到ISP中，在原始RAW域上便可通过机器学习智能调节各参数至更佳值，让ISP能更好地调整白平衡、曝光、色度、饱和度、清晰度等。它支持最高达2亿像素的图像分辨率，最多支持6个摄像头同时打开，支持拍摄10-bit色域的视频，支持WiFi 6等。

Exynos 1080的ISP支持最高达2亿像素的图像分辨率，最多支持6个摄像头同时打开，并同时录制高清(1080P)视频，其ISP最多可以同时吸收三个输入信号，以提供完备的三摄同时使用的支持，分享越发智能的摄像体验，同时也能够支持拍摄10-bit色域的视频(10-bit屏幕可显示多达10.7亿种色彩，出现的色彩数量是传统8bit的64倍)。

从之前安兔兔曝光的跑分来看，三星【【微信】】跑分高达693600，甚至超越了苹果A14，可能是现在跑分最高的处理器平台之一。

值得一提的是，以往三星Exynos旗舰处理器，鲜有国内手机厂商搭载。而这一次，三星和vivo将在2021年打开Exynos 1080旗舰处理器的演绎，这也意味着会有vivo新的产品首发，值得关注下。

3、天玑700

11月11日，联发科公布了 天玑700 处理器，面向主流大众5G市场，将进一步拉低 5G 手机售价。

天玑700采用7nm工艺制程，集成了八颗CPU核心，包罗两个大核A76、六个小核A55，最高频率分别为2.2GHz、2.0GHz，同时集成Mali-G57 MC2 GPU核心，频率为950MHz。内存支持LPDDR4X-2133，最大容量12GB。存储支持UFS 2.2，双路通道。拍照支持双摄1600万+1600万像素或者单摄6400万像素，支持多帧合成、3D降噪、景深、AI增强等技能。AI方面集成AI加速器。显示支持90Hz高刷新率、2520×1080分辨率，视频编解码均支持2K30fps H.264/H.265，解码还支持VP-9。

网络方面，天玑700继续支持5G网络，包罗5G双载波聚合(2CC 5G-CA)、5G双卡双待(5G DSDS)、高速清晰的5G VoNR语音服务、NSA/SA双模，5G峰值下载速度2.77Gbbps。天玑700仍然支持5G UltraSave省电特性，通过先进的节能技能降低5G通信功耗，提升终端续航，包罗智能检测网络环境、OTA内容识别、BWP动态带宽调控、C-DRX节能管理等。

其他连接性技能另有Wi-Fi 5、蓝牙5.1、GPS L1CA+L5、北斗B1I+ B2a、格洛纳斯L1OF、伽利略E1+E5a、【【微信】】+L5、NavIC。

相比于天玑720，天玑700 CPU大核频率反而高了200MHz，北斗也多了B2a信号，只是GPU少了一个核心，视频编解码和录像不支持4K，双摄略有降低，整体照旧相当良心的，排名也仅比720略低一些。

上述就是2020年11月手机CPU天梯图最新版了，通过处理器排名，大家可以看出有哪些手机处理器性能最好，也能给大家在购机时一些必要的参考！

7nm工艺和10nm工艺功耗 为什么7nm比10nm功耗很低

本篇文章给大家分享10nm和7nm芯片功耗的知识，其中也会对芯片10nm和7nm区别进行解释，希望对各位有所帮助现在开始吧！

本文目录一览：

• 1、芯片7nm.，10nm这是什么意思
• 2、2022年功耗更低的手机处理器
• 3、芯片纳米为什么越小越好
• 4、7nm芯片和10nm芯片有什么区别？性能方面有差异吗？
• 5、同样大电池,高通骁龙660,675，710和855,哪种手机芯片的功耗和续航更强？
• 6、麒麟980和骁龙845谁更强？

芯片7nm,10nm指的是采用7nm,10nm制程的一种芯片,nm是单位纳米的简称。

目前，制造芯片的原材料以硅为主。不过，信团硅的物理特性限制了芯片的发展空间。2015年4月，英特尔宣布，在达到7nm工艺之后将不再使用硅材料滑携橘。

相比硅基芯片，石墨烯芯片拥有极高的载流子速度、优异的等比缩小特性等优势。IBM表示，石墨烯中的电子迁移速度是硅材料的10倍，石墨烯芯片的主频在理论上可达300GHz，而散热量和功耗却远低于硅基芯片。麻省理工学院的研究发现，石墨烯可使芯片的运行速率提升百万倍。

扩展资料：

1995年起，芯片制造工艺从0.5μm、0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm，发展到90nm、隐蚂65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、14nm，再到即将到来的10nm，芯片的制程工艺不断发展，集成度不断提高，这一趋势还将持续下去。

参考资料：百度百科-芯片 （半导体元件产品的统称）

目前，核轿基于7nm工艺的芯片在市面上占主导地位，其中尤以高通Snapdragon 888最为出色。历氏罩它采用的是三颗ARM Cortex-X1主频更高可达2.84GHz，Adreno 660 GPU，并使用了Hexagon 698处理器，HVX加速器，【【微信】】和英特尔Wi-Fi 6E等技术，是当下最强大的移动处理器之一。功耗也是极低，支持5G *** ，可以说是2022年肢闹功耗更低的手机处理器。

芯片的本质是将大规模集成电路小型化，封装在方寸之间的空间里。英特尔的10纳米单元面积为54*44纳米，每平方毫米有1.008亿个晶体管。Nm(纳米)是厘米、分米和米等长度单位，1纳米等于10减9米。一纳米相当于原子大小的四倍，是人类头发直径的十万分之一，比单个细菌的长度(5微米)小得多。芯片的制造过程就像一座房子。首先以晶圆为基础，然后将电路和晶体管一层一层堆叠起来，完成想要的形状。芯片具有各种封装形式。芯片封装最初的定义是保护芯片免受周围环境的影响，包括物理和化学影响。今天的芯片封装是指用来安装半导体集成电路芯片的外壳，起到放置、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用。它是芯片内部世界与外部电路之间的桥梁(芯片上的触点通过导线与封装外壳的引脚相连，封装外壳通过印制板上的导线与其他器件相连)。根据国际半导体技术蓝图(ITRS)，芯片工艺中的纳米数越小，越先进。我们常说的芯片14nm、12nm、10mm、7nm是用来描述半导体工艺的节点代数。它们通常用晶体管的半节距或门长等特征尺寸来表示，以衡量集成电路技术的水平。在不同的半导体元件上，描述的对象是不同的。例如，在DRAM芯片中，它描述了DRAM单元中两条金属线之间的最小允许间距的一半长度，半间距长度；当用于CPU时，它描述了CPU晶体管中栅极的长度。在电子显微镜下，32纳米和22纳米晶体管然而，门长并不代表一切。栅极之间的距离和互连间距也是决定性能的关键因素。这两个距枝野闷离决定了单位面积的晶体管数量。在晶体管密度方面，2014年英特尔2000年发布的14nm节点为每平方毫米3750万个晶体管，略低于T *** C的每平方毫米4800万个晶体管和三星的每平方毫米5100万个晶体管。英特尔10nm节点晶体管密度为每平方毫米1.008亿，三星7nm节点密度为每平方毫米1.0123亿，基本相同；T *** C声称，之一代7nm节点的晶体管密度约为16nm节点的3倍，10nm节点的1.6倍，因此估计每平方毫米约有8000万个晶体管，略低于英特尔10nm节点水平；但是2019年，T *** C采用EUV技术的N7+节点也有望量产，晶体管密度将提高20%，从而晶体管密度将达到每平方毫米1个。约1亿水平，将与英特尔，三星2019每年量产流程基本相同。工艺的进步可以提高芯片的性能，包括三个方面:规模增大、频率提高、功耗降低。规模对应的工艺指标主要有晶体管密度、栅极间距、最小金属间距等。相应频率和功耗指标主要包括栅长、鳍高等。随着晶体管密度的增加，可以扩大芯片的晶体管规模，增加并行工作的单元或核心的数量，或者减小芯片面积，提高成品率，降低单位成本。门长度越小，芯片的频率越高或者功耗越低。栅长减小(或沟道长度减小)减小了源漏之间的距离，电子只需流动一小段距离就可以运行，从而提高晶体管的开关频率，提高芯片的工作频率；另一方面，栅极长度和电子流距离的减小可以降低芯片的内阻、所需的开启电压和工作电压。在相同的工作频率下，压降导致更低的功耗(动态功耗P=c*v2*f，功耗与电压和频率的平方成正比)。提高芯片频率和降低功耗这两个目标不能兼得。晶体管的功耗包括静态功耗和动态功耗。静态功耗是电路稳定时的功耗，即常规电压乘以电流；动态功耗是指电容充放电功耗和短路功耗，也就是晶体管在做什么1和0相互转换时，会根据转换频率产生不同的功耗；根据Dendel的定标定律，晶体管面积的缩小，使得晶体管消耗的电压和电流几乎同比例缩小。例如，如果晶体管的尺寸减半，静态功耗将减少到四分之一(电压和电流同时减半)。在行业初期，根据Dennardscaling，猛弯设计师可以大幅提高芯片的时钟频率，因为提高频率带来的更多动态功耗会被降低的静态功耗抵消。大概在2005之后，漏电现象打破了Dennard提出的原有定律，使得晶体管在更小的工艺下制造时，静态功耗不减反增。同时也带来了巨大的热能转换，使得芯片的散热成为一个亟待解决的问题。所以芯片无法在提高频率的同时继续降低整体功耗。根据动态脊或功耗P=C*V2*F可以得出，提高频率和降低功耗这两个目标之间的关系是相反的，需要根据芯片设计来寻求两者之间的平衡。当栅极长度(或沟道长度)减小到一定程度时，容易产生量子隧穿效应，从而导致大电流泄漏问题。这就是FinFET，或者说鳍式场效应晶体管技术出现的原因。晶体管从2D平面结构走向3D鳍片结构，增加鳍片高度可以减少漏电的发生，进一步提高性能或者降低功耗。在FinFET结构中，三个面被栅极包围，可以有效控制漏电。随着鳍片高度的增加，栅极可以更有效地控制电流，随着可控性的提高，栅极可以用更低的电压来切换开关，并且可以用更少的能量来导通/关断。同时，电子在三个表面上流动，增加了流动电子的数量，进一步提高了性能。芯片性能的不断提升是先进制造工艺的核心追求。多年来，先进的制造工艺首先应用于旗舰智能手机AP或计算机CPU。手机主芯片通常采用更先进的两代工艺制造。旗舰手机主芯片是工艺最前沿的，引进更先进的工艺后才会采用。新工艺出现后会向下转移，而低端手机主芯片通常是次高工艺制造。目前7nm和10nm的主要应用有高端手机AP/SoC、个人电脑和服务器CPU、矿机ASIC等。等等。14nm的主要应用包括高端手机AP/SoC、显卡GPU、FPGA等。成熟28纳米节点的主要应用包括低端手机、平板、机顶盒、路由器等主要芯片。先进工艺竞争成为影响芯片的决定性因素。工艺改进对芯片性能提升有明显影响。工艺改进的效果包括频率提高和架构优化。一方面，工艺的提升与频率紧密相连，使得芯片主频提升；另一方面，工艺改进导致晶体管规模的提高，支持更复杂的微架构或内核，导致架构的改进。随着工艺节点的进展，可以发现频率随工艺增长的斜率有所减缓。由于Dendel标度律的失效以及随之而来的散热问题，单纯持续提高芯片时钟频率已经不太现实，厂商逐渐转向低频多核架构的研究。

7nm和10nm的主要区别：

1、栅长不一样。CPU的上形成的互补坦团氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。7nm制程可使CPU与GPU内部集成更多的晶体管，使处理器具有更多的功能及更高性能。

2、功耗不同。7nm的技术和10nm的技术，在塞下同等数量晶体管的情况下，7nm的体积会更小。而体积大的10nm，就会因为工艺的问题，导致原件的电容比较大，需要的电压相较于7nm就更高，从而导致整体功耗变得更高。

性能方面：

芯片是由让笑橘晶体管组成的，制程越小，同样面积的芯片里，晶体管就越多，自然性能就越强。7nm的性能自然是比10nm强的。

以华为麒麟980为麒麟970为例，其中麒麟980是7nm工艺的芯片，麒麟970是10nm工艺的芯片。

先看晶体管数量，麒麟980为69亿个晶体管，麒麟970为55亿个晶体管，提升了25.5%左右。而体现在性能上，则远不是25.5%这么简单了，因为这不仅涉及到了晶体管的多少，更是涉及到了CPU、GPU、NPU等IP核的升级。

而在具体的数值上，像CPU的跑分，麒麟980大约高了50%左右，而在GPU部分则高了1倍，至于NPU的跑分，更是高了1倍多。

扩展资料：

集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只 *** 一个晶体管。性能高是由升慧于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm，每mm可以达到一百万个晶体管。

如果是同样的电池大小，同样的性能表现雀行槐下，由于制造工艺的先进程度不一样，带拦续航排名从长到短是855、710、675、660。

如果是同顷友样的电池大小，同样的功耗情况下，同样由于制程的不同，性能表现从强到弱为855、710、675、660

这个如果不看跑分或者不拿游戏来测试的话，我认为凭我们的分析还是比较不靠谱的，所以还是等真机发布吧。不过还是很看好麒麟980，毕竟麒麟处理袜袜或器进步一年比一年明显。

今日，华为终端官微发布预告称：“8月31日德国・柏林，探索未知，超越想象。”视频短片中一颗芯片形状的图案现身，显然是在暗示麒麟980要来了。

虽然目前有关麒麟980的规格所知甚少，但结合目前已知消息来看，7nm工艺芯片较10nm、16nm，封告伍装面积更小、运行速度更快、能效更高。和10nm相比，好拆7nm芯片功耗有望降低40%，芯片面积减少37%；而和16nm相比，芯片面积可以缩小到原来的1/3，功耗降低60%，性能至少提升30%。

猜测，就像10nm麒麟970之于16nm麒麟960一样，麒麟980有望在CPU、GPU运算能力上更进一步，同时升级NPU单元，在AI性能上继续领先竞争对手。除了麒麟980助力之外， 华为Mate 20 系列还有望升级全新的徕卡三摄、搭载新一代CPU、GPU双Turbo技术等，看点满满。